株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目第一階段(新能源汽車用碳化硅(SiC)MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目)竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收?qǐng)?bào)告
- 建設(shè)單位:株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司
- 所在地區(qū):株洲
- 公示時(shí)間:2023年9月20日-2023年10月24日
- 編制機(jī)構(gòu):中國(guó)檢驗(yàn)認(rèn)證集團(tuán)湖南有限公司
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項(xiàng)目名稱:株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目第一階段(新能源汽車用碳化硅(SiC)MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目)竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收?qǐng)?bào)告
性質(zhì):改擴(kuò)建
建設(shè)單位:株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司
建設(shè)地點(diǎn):株洲市石峰區(qū)井龍街道田心工業(yè)園時(shí)代路,現(xiàn)有#301碳化硅廠房?jī)?nèi)
環(huán)境影響報(bào)告表編制單位與完成時(shí)間:2021年10月,湖南景新環(huán)??萍加邢挢?zé)任公司編制完成了《株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表》,并已獲得株洲市生態(tài)環(huán)境局石峰分局對(duì)本項(xiàng)目的環(huán)評(píng)批復(fù)(審批號(hào):株石環(huán)評(píng)表[2021]35號(hào)),已批復(fù)產(chǎn)能為年產(chǎn)2.5萬片6英寸晶圓,包含新能源汽車用的碳化硅(SiC)MOSFET、軌道交通牽引變流器用的碳化硅(SiC)SBD和MOSFET、以及未來發(fā)展開發(fā)溝槽柵碳化硅(SiC)MOSFET(溝槽柵SiC MOS)。
開工、竣工、調(diào)試時(shí)間:項(xiàng)目于2021年11月開始動(dòng)工實(shí)施,2023年5月建設(shè)完成,并完成初步調(diào)試工作進(jìn)入試生產(chǎn)運(yùn)行。
申領(lǐng)排污許可證情況:株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司同步進(jìn)行了排污許可證重新申請(qǐng),并于2023年9月12日取得了排污許可證。
驗(yàn)收范圍與內(nèi)容:本次階段驗(yàn)收只針對(duì)碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目包含的新能源汽車用碳化硅(SiC)MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)行驗(yàn)收,對(duì)應(yīng)產(chǎn)能為2萬片/年。
性質(zhì):改擴(kuò)建
建設(shè)單位:株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司
建設(shè)地點(diǎn):株洲市石峰區(qū)井龍街道田心工業(yè)園時(shí)代路,現(xiàn)有#301碳化硅廠房?jī)?nèi)
環(huán)境影響報(bào)告表編制單位與完成時(shí)間:2021年10月,湖南景新環(huán)??萍加邢挢?zé)任公司編制完成了《株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表》,并已獲得株洲市生態(tài)環(huán)境局石峰分局對(duì)本項(xiàng)目的環(huán)評(píng)批復(fù)(審批號(hào):株石環(huán)評(píng)表[2021]35號(hào)),已批復(fù)產(chǎn)能為年產(chǎn)2.5萬片6英寸晶圓,包含新能源汽車用的碳化硅(SiC)MOSFET、軌道交通牽引變流器用的碳化硅(SiC)SBD和MOSFET、以及未來發(fā)展開發(fā)溝槽柵碳化硅(SiC)MOSFET(溝槽柵SiC MOS)。
開工、竣工、調(diào)試時(shí)間:項(xiàng)目于2021年11月開始動(dòng)工實(shí)施,2023年5月建設(shè)完成,并完成初步調(diào)試工作進(jìn)入試生產(chǎn)運(yùn)行。
申領(lǐng)排污許可證情況:株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司同步進(jìn)行了排污許可證重新申請(qǐng),并于2023年9月12日取得了排污許可證。
驗(yàn)收范圍與內(nèi)容:本次階段驗(yàn)收只針對(duì)碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目包含的新能源汽車用碳化硅(SiC)MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)行驗(yàn)收,對(duì)應(yīng)產(chǎn)能為2萬片/年。