株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目第一階段（新能源汽車用碳化硅（SiC）MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化項目）竣工環(huán)境保護(hù)驗收報告
- 建設(shè)單位：株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司
- 所在地區(qū)：株洲
- 公示時間：2023年9月20日-2023年10月24日
- 編制機(jī)構(gòu)：中國檢驗認(rèn)證集團(tuán)湖南有限公司
- 全文本公示鏈接：【點擊下載】
項目名稱：株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目第一階段（新能源汽車用碳化硅（SiC）MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化項目）竣工環(huán)境保護(hù)驗收報告
性質(zhì)：改擴(kuò)建
建設(shè)單位：株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司
建設(shè)地點：株洲市石峰區(qū)井龍街道田心工業(yè)園時代路，現(xiàn)有#301碳化硅廠房內(nèi)
環(huán)境影響報告表編制單位與完成時間：2021年10月，湖南景新環(huán)?？萍加邢挢?zé)任公司編制完成了《株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目環(huán)境影響報告表》，并已獲得株洲市生態(tài)環(huán)境局石峰分局對本項目的環(huán)評批復(fù)（審批號：株石環(huán)評表[2021]35號），已批復(fù)產(chǎn)能為年產(chǎn)2.5萬片6英寸晶圓，包含新能源汽車用的碳化硅（SiC）MOSFET、軌道交通牽引變流器用的碳化硅（SiC）SBD和MOSFET、以及未來發(fā)展開發(fā)溝槽柵碳化硅（SiC）MOSFET（溝槽柵SiC MOS）。
開工、竣工、調(diào)試時間：項目于2021年11月開始動工實施，2023年5月建設(shè)完成，并完成初步調(diào)試工作進(jìn)入試生產(chǎn)運(yùn)行。
申領(lǐng)排污許可證情況：株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司同步進(jìn)行了排污許可證重新申請，并于2023年9月12日取得了排污許可證。
驗收范圍與內(nèi)容：本次階段驗收只針對碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目包含的新能源汽車用碳化硅（SiC）MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化項目進(jìn)行驗收，對應(yīng)產(chǎn)能為2萬片/年。
性質(zhì)：改擴(kuò)建
建設(shè)單位：株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司
建設(shè)地點：株洲市石峰區(qū)井龍街道田心工業(yè)園時代路，現(xiàn)有#301碳化硅廠房內(nèi)
環(huán)境影響報告表編制單位與完成時間：2021年10月，湖南景新環(huán)?？萍加邢挢?zé)任公司編制完成了《株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目環(huán)境影響報告表》，并已獲得株洲市生態(tài)環(huán)境局石峰分局對本項目的環(huán)評批復(fù)（審批號：株石環(huán)評表[2021]35號），已批復(fù)產(chǎn)能為年產(chǎn)2.5萬片6英寸晶圓，包含新能源汽車用的碳化硅（SiC）MOSFET、軌道交通牽引變流器用的碳化硅（SiC）SBD和MOSFET、以及未來發(fā)展開發(fā)溝槽柵碳化硅（SiC）MOSFET（溝槽柵SiC MOS）。
開工、竣工、調(diào)試時間：項目于2021年11月開始動工實施，2023年5月建設(shè)完成，并完成初步調(diào)試工作進(jìn)入試生產(chǎn)運(yùn)行。
申領(lǐng)排污許可證情況：株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司同步進(jìn)行了排污許可證重新申請，并于2023年9月12日取得了排污許可證。
驗收范圍與內(nèi)容：本次階段驗收只針對碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目包含的新能源汽車用碳化硅（SiC）MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化項目進(jìn)行驗收，對應(yīng)產(chǎn)能為2萬片/年。
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